В Великобритании исследователи из университета Ланкастера создали совершенно новый тип сверхскоростной постоянной памяти. Называется она UK III-V и, как отмечает издание «Актуальные новости» по быстродействию не отстает DRAM.

UltraRAM соединила в себе очевидные достоинства флеш-памяти и динамической памяти с произвольным доступом (Dynamic Random Access Memory, DRAM), которые используются во многих электронных устройствах, в том числе в смартфонах. 

По пропускной способности она сопоставима с DRAM, но при этом данные в модуле сохранятся, даже если питание отключится.

Примечательно, что блоком памяти используется только 1 процент энергии, если сравнивать с привычными модулями памяти и накопителями NAND.

В данный момент устройство пока лишь опытный образец, но в ближайшее время оно станет перспективным прототипом. Пока же ученые собрали с таким модулем одиночные транзисторы.

Эксперты полагают, что технология окажется довольно перспективной - в первую очередь потому, что даст толчок к развитию рынка SSD. Появятся совершенно новые устройства, а работа уже существующих может кардинально измениться в лучшую сторону. Возможно, высокоскоростная память приведет к объединению ОЗУ и встроенного модуля.

Эксперты убеждены, что такой шаг значительно снизит время режима сна и ожидания при считывании данных.

Исследователи вместе с тем не сообщили, как быстро может изнашиваться разработанный модуль. В то же время известно, что цена такой памяти немаленькая. И если она когда-нибудь начнет выпускаться, то это будет цена за Гб.